FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 Infineon Módulo IGBT 1200V 150A de IGBT
FD150R12RT4
Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Único
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,15 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 150 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: 790 W
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Estilo da instalação: SMD/SMT
Série: Trincheira/Fieldstop IGBT4
Quantidade de embalagem: 10 PCS
Subcategoria: IGBTs
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