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3 Phase IGBT Inverter Module Low Power F3L75R12W1H3_B27 SP001056132

3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT

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    3 módulo do inversor da fase IGBT

    ,

    Baixa potência do módulo do inversor de IGBT

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    F3L75R12W1H3_B27

  • Infineon
    F3L75R12W1H3_B27
  • Configuração
    Inversor da 3-fase
  • tensão máxima VCEO do Coletor-emissor
    1,2 quilovolts
  • Tensão de saturação do Coletor-emissor
    1,45 V
  • Corrente de coletor contínua em 25C
    45 A
  • corrente do escapamento do Porta-emissor
    nA 100
  • dissipação do Paládio-poder
    275 W
  • Temperatura de trabalho mínima
    -40℃
  • Temperatura de trabalho máxima
    +150℃
  • Empacotamento
    24 PCes
  • Lugar de origem
    Alemanha
  • Marca
    Infineon
  • Número do modelo
    F3L75R12W1H3_B27
  • Quantidade de ordem mínima
    1pcs
  • Preço
    Bargain
  • Detalhes da embalagem
    Bandeja
  • Tempo de entrega
    48hours
  • Termos de pagamento
    L/C, T/T
  • Habilidade da fonte
    500 PCS+48hours

3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT

 

F3L75R12W1H3_B27        SP001056132     Infineon   BAIXA POTÊNCIA do módulo de IGBT FÁCIL

F3L75R12W1H3B27BOMA1

 

 

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Inversor da 3-fase
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,2 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,45 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 45 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: 275 W
Pacote/caixa: EasyPack1B
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Série: IGBT de alta velocidade H3
Quantidade de embalagem: 24 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si

 

 

3 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT 03 baixa potência F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 do módulo do inversor da fase IGBT 1