Poder médio duplo FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 de módulo de poder de 62MM IGBT

FF200R17KE4HOSA1   SP000713374    Infineon     PODER MÉDIO 62MM DO MÓDULO DE IGBT

FF200R17KE4

Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Duplo
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,7 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,3 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 310 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: W 1250
Pacote/caixa: Módulo
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Montando o estilo: Montagem do chassi
Série: FFXR17K4H
Quantidade de embalagem: 10 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Parada da trincheira/campo