FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon Poder superior do módulo 200A 1700V do módulo IGBT de IGBT
FF200R17KE4
Fabricante: Infineon
Tipo de produto: Módulos de IGBT
Configuração: Duplo
tensão máxima VCEO do Coletor-emissor: 1,7 quilovolts
tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,95 V
Corrente de coletor contínua em 25 C: 310 A
corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 100
dissipação do Paládio-poder: W 1250
Pacote/caixa: 62 milímetros
Temperatura de trabalho mínima: - 40 C
Temperatura de trabalho máxima: + 150 C
Pacote: Bandeja
Tensão máxima da porta/emissor: 20 V
Montando o estilo: Montagem do chassi
Série: Trenchstop IGBT4 - E4
Quantidade de embalagem: 10 PCS
Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
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