STGWA20H65DFB2 ST Transistor 20 Uma série HB2 de alta velocidade IGBT TO-247
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Pacote/Caso: TO-247-3
Estilo de montagem: através de um buraco
Configuração: Único
Voltagem máxima do colector-emissor VCEO: 650 V
Voltagem de saturação do colector-emissor: 1,65 V
Voltagem máxima da porta/emissor: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do colector a 25 C: 40 A
Dissipação de potência Pd: 147 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 °C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Embalagem: tubo
Marca: STMicroelectronics
Corrente de vazamento do portão emissor: 250 nA
Tipo de produto: Transistores IGBT
Embalagem Quantidade: 600 PCS
Subcategoria: IGBTs
Peso unitário: 6,100 g
