STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 A de alta velocidade HB2 série IGBT D2PAK-3
Fabricante: STMicroelectronics
Categoria do produto: Transistores IGBT
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Configuração: Único
Voltagem máxima do colector-emissor VCEO: 650 V
Voltagem de saturação do colector-emissor: 1,65 V
Voltagem máxima da porta/emissor: - 20 V, 20 V
Corrente contínua do colector a 25 C: 50 A
Dissipação de potência Pd: 167 W
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 °C
Temperatura máxima de funcionamento: + 175 C
Embalagem: bobina
Embalagem: fita cortante
Embalagem: MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tipo de produto: Transistores IGBT
Embalagem Quantidade: 1000 PCS
Subcategoria: IGBTs
Peso unitário: 1,380 g
