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EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V .1A N-Channel  SOT-563-6

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6

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    EM6K1T2R

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    SOT-563-6 Circuito integrado Ic

  • ROHM
    EM6K1T2R
  • Pacote
    SOT-563-6
  • Número de canais
    Canal 2
  • Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte
    30 V
  • Id. Corrente de escoamento contínua
    100 miliampères
  • dissipação do Paládio-poder
    150 mW
  • Temperatura de trabalho mínima
    -55℃
  • Temperatura de funcionamento
    +150℃
  • Quantidade de embalagem
    8000 PCes
  • Lugar de origem
    Japão
  • Marca
    ROHM
  • Número do modelo
    EM6K1T2R
  • Quantidade de ordem mínima
    1pcs
  • Preço
    Negotiated Price
  • Detalhes da embalagem
    Carretel
  • Tempo de entrega
    24-72hours
  • Termos de pagamento
    T/T, L/C
  • Habilidade da fonte
    800000 PCS + 48 horas

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6

 

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A SOT-563-6

 

 

Fabricante: ROHM Semiconductor
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Embalagem / Caixa: SOT-563-6
Polaridade do transistor: canal N
Número de canais: 2
Voltagem de ruptura da fonte de descarga VDS: 30 V
Id. Corrente de escoamento contínua: 100 mA
Rds Resistência da fonte de descarga: 7 Ohms
Vgs - tensão da fonte da porta: - 20 V, + 20 V
Vgs tensão de limiar da fonte da porta: 1,5 V
Carga Qg-gate: -
Temperatura mínima de funcionamento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Dissipação de potência Pd: 150 mW
Modo de canal: Reforço
Série: EM6K1
Embalagem: bobina
Configuração: dupla
Tempo de queda: 35 ns
Altura: 0,5 mm
Comprimento: 1,6 mm
Tempo de elevação: 35 ns
Quantidade de embalagem: 8000 PCS
Tipo de transistor: 2 canais N
Tempo típico de atraso de desligamento: 80 ns
Tempo típico de atraso: 15 ns
Largura: 1,2 mm
Alias número da peça: EM6K1
Peso unitário: 3 mg

 

 

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6 0

EM6K1T2R ROHM MOSFET 2N-CH 30V.1A N-Channel SOT-563-6 1