IPP65R190CFD7XKSA1 Infineon MOSFET de alta potência NOVO para 220-3
IPP65R190CFD7
IPP65R190CFD
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de instalação: através de um buraco
Embalagem/caixa: TO-220-3
Polaridade do transistor: canal N
Número de canais: 1
Voltagem de ruptura da fonte de descarga VDS: 650 V
Id. Corrente de escoamento contínua: 12 A
Rds Resistência da fonte de descarga: 190 mOhms
Vgs - tensão da fonte da porta: - 20 V, + 20 V
Vgs tensão de limiar da fonte da porta: 4,5 V
Carga Qg-gate: 23 nC
Temperatura mínima de funcionamento: - 40 °C
Temperatura máxima de funcionamento: + 150 C
Dissipação de potência Pd: 63 W
Modo de canal: Reforço
Embalagem: tubo
Quantidade de embalagem: 500 PCS
Alias número da parte: IPP65R190CFD7 SP005413377
Nossos produtos são vendidos em todo o mundo. Você pode ter certeza de todo o processo de nossos produtos.
